低压MOSFET 100V/1.5A 1N10 SOT-23 喷雾器用NMOS管 MOS管应用
低压MOSFET 1N10的应用：
喷雾器
负载开关
UPS 不间断电源
低压MOSFET 1N10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：1.5A
漏极电流-脉冲 IDM：6A
总耗散功率 PD：1.2W
结到环境的热阻 RθJA：104℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：75℃/W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
低压MOSFET 1N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1.5A | 430 | 500 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=1A | 460 | 550 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.8 | 2.5 | V |
| Qg | 栅极电荷 | 6.47 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.27 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.29 | |||
| Ciss | 输入电容 | 232 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 23 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 24 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 18 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 16 | |||
| tf | 开启下降时间 | 27.4 |
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