N+P沟道MOS管 8G04 SOP-8 无线充用MOS管 低压场效应管
无线充用MOS管 8G04的引脚图：
无线充用MOS管 8G04的特点：
1、N-CH：
VDS=40V
ID=8.3A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-40V
ID=-6.3A
RDS(ON)＜50mΩ@VGS=-10V
无线充用MOS管 8G04的用途：
无线充电
无刷马达
无线充用MOS管 8G04的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | -40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 8.3 | -6.3 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 4.2 | -3.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 26 | -24 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 57 | 57 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 30 | 30 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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