低压MOS管 3400 SOT-23 手机快充MOS管 A09T 场效应管丝印
手机快充MOS管 3400的特点：
VDS=30V
ID=6.2A
RDS(ON)＜28mΩ@VGS=10V
封装：SOT-23
手机快充MOS管 3400的应用领域：
锂电池保护
手机快充
手机快充MOS管 3400的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±12V
漏极电流-连续 ID：6.2A
漏极电流-脉冲 IDM：20A
总耗散功率 PD：1W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：85℃/W
手机快充MOS管 3400的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5.8A | 20 | 28 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 24 | 32 | |||
静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=4A | 31 | 55 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 0.85 | 1.2 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 25 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 860 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 84 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 70 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 47 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 26 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
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