P+P型MOSFET 4955A SOP-8 锂电保护MOS管 低压MOS管
P+P型MOSFET 4955A的特点：
VDS=-30V
ID=-7.5A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V
封装：SOP-8
P+P型MOSFET 4955A的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -7.2 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | -5.2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -26 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 72.2 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 38 | A |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 25 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
P+P型MOSFET 4955A的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -30 | -33 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-6A | 22 | 25 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-4A | 32 | 42 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 9.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 3.4 | |||
| Ciss | 输入电容 | 930 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 148 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 115 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 14.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 41 | |||
| tf | 开启下降时间 | 19.6 |
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