场效应管报价 10G06 PDFN5X6-8L 60VN+P沟道MOS管 电源MOSFET
电源MOSFET 10G06的产品特点：
1、N-CH：
VDS=60V
ID=10A
RDS(ON)＜40mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-60V
ID=-9.5A
RDS(ON)＜70mΩ@VGS=-10V
电源MOSFET 10G06的引脚图：
电源MOSFET 10G06的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 60 | -60 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 10 | -9.5 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 5.2 | -4.3 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 30 | -27 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 25.5 | 35.3 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 22.6 | -26.6 | A |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 36 | 36 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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