40V N+P沟道MOS管 6G04 SOP-8 贴片场效应管 MOS管脚排列
N+P沟道MOS管 6G04的引脚图:
N+P沟道MOS管 6G04的产品特点:
1、N-CH:
VDS=40V
ID=6A
RDS(ON)<26mΩ@VGS=10V
2、P-CH:
VDS=-40V
ID=-6A
RDS(ON)<32mΩ@VGS=-10V
N+P沟道MOS管 6G04的应用领域:
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
N+P沟道MOS管 6G04的电特性:
(如无特殊说明,TC=25℃)
符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
N-CH | P-CH | |||
VDS | 漏极-源极电压 | 40 | -40 | V |
VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 6.1 | -6 | A |
漏极电流-连续 (TA=70℃) | 4.9 | -4.8 | ||
IDM | 漏极电流-脉冲 | 23 | -22 | |
EAS | 单脉冲雪崩能量 | 16.2 | 39 | mJ |
IAS | 单脉冲雪崩电流 | 18 | 28 | A |
PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.67 | 1.67 | W |
RθJA | 结到环境的热阻 | 75 | 75 | ℃/W |
RθJC | 结到管壳的热阻 | 30 | 30 | |
TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 |