国产MOS选型 20G03 PDFN5X6-8L 低内阻N+PMOS 马达用场效应管
低内阻N+PMOS 20G03的管脚图：
低内阻N+PMOS 20G03的产品特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=28A
RDS(ON)＜12mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-19.7A
RDS(ON)＜25mΩ@VGS=-10V
低内阻N+PMOS 20G03的用途：
无线充电
无刷马达
低内阻N+PMOS 20G03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 28 | -19.7 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 22.5 | -17.5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 84 | -59.1 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 89 | 78 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 34 | 33.1 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 46 | 41.3 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
扫二维码进入手机网站