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60V低压MOS 8N06 SOT89-3L
60V低压MOS 8N06 SOT89-3L
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:8N06
产品封装:SOT89-3L
产品标题:60V低压MOS 8N06 SOT89-3L 贴片小封装MOS 应用于电源 MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


60V低压MOS 8N06 SOT89-3L 贴片小封装MOS 应用于电源 MOSFET



60V低压MOS 8N06的产品特点:

  • VDS=60V

  • ID=8.5A

  • RDS(ON)<35mΩ@VGS=10V

  • 封装:SOT89-3L



60V低压MOS 8N06的引脚图:

image.png



60V低压MOS 8N06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压60V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 TA=25℃8.5A
漏极电流-连续 TA=70℃5.8
IDM漏极电流-脉冲14.6
EAS单脉冲雪崩能量21.5mJ
IAS雪崩电流20.6A
PD总耗散功率 TA=25℃1.2W
RθJA结到环境的热阻62.5℃/W
RθJC结到管壳的热阻36
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



60V低压MOS 8N06的极限参数:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压6065
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=10A


2840
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=5A


3345
VGS(th)
栅极开启电压11.62.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
Qg栅极电荷
20.3
nC
Qgs栅源电荷密度

3.7
Qgd栅漏电荷密度
5.3
Ciss输入电容
1148
pF
Coss输出电容
58.5
Crss反向传输电容
49.4
td(on)开启延迟时间
7.6
ns
tr开启上升时间
20
td(off)关断延迟时间
15
tf
开启下降时间
24


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