国产替换MOS N+P沟道MOS管 15G03 PDFN5X6-8L 低压MOSFET
国产替换MOS 15G03的产品特点：
1、N-CH：
VDS=30V
ID=18A
RDS(ON)＜22mΩ@VGS=10V
2、P-CH：
VDS=-30V
ID=-15A
RDS(ON)＜32mΩ@VGS=-10V
国产替换MOS 15G03的应用领域：
无线充电
无刷马达
国产替换MOS 15G03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | -30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 18 | -15 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=100℃) | 10 | -8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 52 | -46 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 22 | 45 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 21 | 30 | A |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 18 | 18 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 55 | 55 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 5 | 5 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
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