N+P沟道MOS管 3G02 SOP-8 电源用MOS ±20V场效应管
N+P沟道MOS管 3G02的引脚配置图：
N+P沟道MOS管 3G02的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 | |
| N-CH | P-CH | |||
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 5.8 | -3.5 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 4.9 | -2.8 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 20 | -15 | |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 1 | 1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 85 | 85 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 | -55~150 | |
N+P沟道MOS管 3G02的电特性(N-CH)：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 32 | mΩ | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=2A | 40 | ||||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 1.2 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 25 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 11.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.9 | |||
| Ciss | 输入电容 | 860 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 84 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 70 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 47 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 26 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8 |
N+P沟道MOS管 3G02的电特性(P-CH)：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
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