国产 60V低压MOS 大芯片MOS管 8H06 SOP-8 N+N沟道 低压MOSFET
大芯片MOS管 8H06的用途：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
大芯片MOS管 8H06的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：60V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续(TA=25℃) ID：8.2A
漏极电流-连续(TA=70℃) ID：5.8A
漏极电流-脉冲 IDM：16.6A
单脉冲雪崩能量 EAS：28.5mJ
雪崩电流 IAS：22.6A
总耗散功率(TA=25℃) PD：1.5W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到环境的热阻 RθJA：85℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：36℃/W
大芯片MOS管 8H06的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 60 | 66 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=8A | 23 | 32 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A | 28 | 38 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 21 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 12.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1378 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 86 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 64 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 14.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 24.4 | |||
| tf | 开启下降时间 | 4.6 |
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