60V/6A N+N沟道MOS管 6H06 SOP-8 国内MOS管替代 场效应管价格

N+N沟道MOS管 6H06的引脚图：

N+N沟道MOS管 6H06的产品特点：

• V_DS=60V

• I_D=6A

• R_DS(ON)＜35mΩ@V_GS=10V

• 封装：SOP-8
  

N+N沟道MOS管 6H06的应用领域：

• 电池保护

• 负载开关

• UPS 不间断电源
  

N+N沟道MOS管 6H06的极限值：

(如无特殊说明，T_A=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：60V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：6A

• 漏极电流-连续(T_C=100℃) I_D：3.5A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：24A

• 总耗散功率 P_D：2W

• 存储温度 T_STG：-55~+150℃

• 工作结温 T_J：-55~+150℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：62.5℃/W

N+N沟道MOS管 6H06的点特点：

(如无特殊说明，T_A=25℃)