10mΩ 20H04 SOP-8 贴片双NMOS管 MOSFET引脚 国产大芯片
贴片双NMOS管 20H04的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 20 | A |
| 漏极电流-连续 (TA=70℃) | 10.2 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 60 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 51 | mJ |
| IAS | 雪崩电流 | 25 | A |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 36 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
贴片双NMOS管 20H04的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6A | 8.5 | 10.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 11 | 15 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 31 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1314 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 120 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 88 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 8.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.4 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 25 | |||
| tf | 开启下降时间 | 2.2 |
贴片双NMOS管 20H04的封装外形尺寸图：
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