40V/10A 替代MOS 10H04 SOP-8 双N沟道MOSFET 手机快充MOS管
手机快充MOS管 10H04的产品特点：
VDS=40V
ID=10A
RDS(ON)＜16mΩ@VGS=10V
封装：SOP-8
手机快充MOS管 10H04的用途：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
手机快充MOS管 10H04的极限参数：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 40 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 10 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 6.4 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 40 | |
| PD | 总耗散功率 | 2 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
手机快充MOS管 10H04的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 40 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=8A | 12.9 | 16 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=4A | 18.9 | 24 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 22.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 964 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 109 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 96 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 14 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 24 | |||
| tf | 开启下降时间 | 12 |
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