宇芯电子可控硅一站式解决方案提供商专注单向可控硅,双向可控硅,168彩票下载星空娱乐 ,高压可控硅,达林顿芯片等半导体器件的应用服务。
当前位置: 首页 » 产品中心 » app星空游戏 » MOS管 » 中低压MOS管 » 30V/10A N+N沟道MOS管 10H03 SOP-8

产品分类

Product Categories
30V/10A N+N沟道MOS管 10H03 SOP-8
30V/10A N+N沟道MOS管 10H03 SOP-8
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:10H03
产品封装:SOP-8
产品标题:30V/10A N+N沟道MOS管 10H03 SOP-8 手机快充场效应管 MOS管丝印
咨询热线:0769-89027776

产品详情


30V/10A N+N沟道MOS管 10H03 SOP-8 手机快充场效应管 MOS管丝印



手机快充场效应管 10H03的管脚排列图:

image.png



手机快充场效应管 10H03的应用领域:

  • 锂电池保护

  • 手机快充



手机快充场效应管 10H03的极限值:

(如无特殊说明,TA=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压30
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续 (TC=25℃)10A
IDM漏极电流-脉冲75
EAS单脉冲雪崩能量24.2mJ
IAS
单脉冲雪崩电流22A
PD总耗散功率 (TC=25℃)26W
RθJA结到环境的热阻75℃/W
RθJC结到管壳的热阻4.8
TSTG存储温度-55~+150
TJ工作结温-55~+150



手机快充场效应管 10H03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3033
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=8A


912
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=6A


1418
VGS(th)
栅极开启电压11.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
gfs正向跨导
24.4

S
Qg栅极电荷
9.82
nC
Qgs栅源电荷密度

2.24


Qgd栅漏电荷密度
5.54
Ciss输入电容
896
pF
Coss输出电容
126
Crss反向传输电容
108
td(on)开启延迟时间
6.4
ns
tr开启上升时间

39


td(off)关断延迟时间
21
tf
开启下降时间
4.7


产品推荐

Product recommendations
*本站相关网页素材及相关资源均来源互联网,如有侵权请速告知,我们将会在24小时内删除*
技术支持:东莞网站建设
Baidu
map