电源用双NMOS管 6H03 SOP-8 30V/7.8A 低压MOSFET 场效应管引脚图
电源用双NMOS管 6H03的应用领域：
电源用双NMOS管 6H03的特点：
VDS=30V
ID=7.8A
RDS(ON)＜22mΩ＠VGS=10V
封装：SOP-8
电源用双NMOS管 6H03的用途：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
UPS 不间断电源
电源用双NMOS管 6H03的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 30 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 7.8 | A |
| 漏极电流-连续 (TC=100℃) | 5 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 25 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 8.1 | mJ |
| IAS | 单脉冲雪崩电流 | 12.7 | A |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 1.5 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 85 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 25 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
电源用双NMOS管 6H03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | 32.5 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 15 | 22 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 20 | 30 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.6 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 16 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 7.2 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 572 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 81 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 65 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 4.1 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 9.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 15.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 6 |
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