30V低压MOS 双N沟道MOS管 3H03 SOT-23-6L 电源场效应管
30V低压MOS 3H03的产品特点：
VDS=30V
ID=3.6A
RDS(ON)＜60mΩ@VGS=10V
封装：SOT-23-6L
30V低压MOS 3H03的引脚图：
30V低压MOS 3H03的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
30V低压MOS 3H03的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
漏极-源极电压 VDS：30V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续(TA=25℃) ID：3.6A
漏极电流-连续(TA=70℃) ID：2.7A
漏极电流-脉冲 IDM：18.4A
总耗散功率(TA=25℃) PD：1W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到环境的热阻 RθJA：125℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：80℃/W
30V低压MOS 3H03的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 30 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=3.1A | 35 | 60 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=2A | 52 | 75 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 7 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 5 | 6.9 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.1 | 2.2 | ||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.6 | 2.8 | ||
| Ciss | 输入电容 | 420 | 582 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 60 | 87 | ||
| Crss | 反向传输电容 | 53 | 71 | ||
| td(on) | 开启延迟时间 | 2 | 4 | ns | |
| tr | 开启上升时间 | 34.4 | 62 | ||
| td(off) | 关断延迟时间 | 13.2 | 26 | ||
| tf | 开启下降时间 | 4.8 | 9.6 |
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