低压双NMOS管 8809 DFN2X3-6L 贴片MOSFET 9mΩ 低内阻场效应管
低压双NMOS管 8809的管脚图：
低压双NMOS管 8809的产品特点：
VDS=20V
ID=9.5A
RDS(ON)＜9mΩ@VGS=4.5V
封装：DFN2X3-6L
低压双NMOS管 8809的用途：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
低压双NMOS管 8809的极限参数：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TA=25℃) | 9.5 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 60 | |
| PD | 总耗散功率 (TA=25℃) | 1.56 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 80 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
低压双NMOS管 8809的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=5A | 6.3 | 7.8 | 9 | mΩ |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4V,ID=5A | 6.5 | 8 | 9.5 | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=3.7V,ID=5A | 6.7 | 8.2 | 10 | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=3.1V,ID=5A | 7.1 | 8.7 | 11.2 | ||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=5A | 8 | 10.5 | 13.5 | ||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.45 | 1.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±10 | uA | ||
| gfs | 正向跨导 | 38 | S | ||
| Qg | 栅极电荷(4.5V) | 22 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3.1 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8.2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1647 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 170 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 148 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 39.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 65 | |||
| tf | 开启下降时间 | 30 |
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