20V双NMOS管 8806 WQFN3X3-6L 小封装MOS管 负载开关场效应管
20V双NMOS管 8806的用途：
电池保护
负载开关
UPS 不间断电源
20V双NMOS管 8806的引脚图：
20V双NMOS管 8806的极限值：
(如无特殊说明，TA=25℃)
漏极-源极电压 VDS：20V
栅极-源极电压 VGS：±8V
漏极电流-连续(TC=25℃) ID：35A
漏极电流-脉冲 IDM：100A
总耗散功率(TC=25℃) PD：31W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：4℃/W
结到环境的热阻 RθJA：35℃/W
20V双NMOS管 8806的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=3A | 4.3 | 5.8 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=3.9V,ID=3A | 4.5 | 6.5 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=3A | 5 | 7 | |||
| 静态漏源导通电阻 VGS=1.8V,ID=3A | 7 | 11 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.4 | 1 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±10 | uA | ||
| gfs | 正向跨导 | 42 | S | ||
| Qg | 栅极电荷(4.5V) | 38 | nC | ||
| 栅极电荷(3.9V) | 33 | ||||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 12 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3165 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 380 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 325 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 41 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 77 | |||
| tf | 开启下降时间 | 21 |
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