低压N+NMOS管 12H02 TSSOP-8 电源用MOS管 20V/12A
低压N+NMOS管 12H02的产品特点：
VDS=20V
ID=12A
RDS(ON)＜11mΩ@VGS=4.5V
高功率和电流处理能力
封装：TSSOP-8
低压N+NMOS管 12H02的用途：
功率切换应用程序
硬开关和高频电路
UPS 不间断电源
低压N+NMOS管 12H02的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 (TC=25℃) | 12 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 80 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 7.2 | mJ |
| PD | 总耗散功率 (TC=25℃) | 15.6 | W |
| 总耗散功率 (TA=25℃) | 5 | ||
| RθJA | 结到环境的热阻 | 25 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 8 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
低压N+NMOS管 12H02的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 20 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=20A | 10 | 12.5 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=2.5V,ID=12A | 12 | 19 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 0.5 | 1.2 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 50 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 16 | 25.6 | nC | |
| Qgs | 栅源电荷密度 | 3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1400 | 2240 | pF | |
| Coss | 输出电容 | 170 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 135 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 13 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 28 | |||
| tf | 开启下降时间 | 7 |
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