塑封MOS大全 900V 国产N沟道MOS管 3N90 TO-220F 高压场效应管

塑封MOS大全 3N90的产品特点：

• V_DS=900V

• I_D=3A

• R_DS(ON)＜4.8Ω@V_GS=10V

• 封装：TO-220F

塑封MOS大全 3N90的用途：

• UPS 不间断电源

• PFC 功率因素校正
  

塑封MOS大全 3N90的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：900V

• 栅极-源极电压 V_GS：±30V

• 漏极电流-连续 I_D：3A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：10A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：4.5mJ

• 雪崩电流 I_AR：3A
  

• 总耗散功率 P_D：25W

• 存储温度 T_STG：-55~+150℃

• 工作结温 T_J：-55~+150℃

• 结到管壳的热阻 R_θJC：5℃/W

• 结到环境的热阻 R_θJA：65℃/W

塑封MOS大全 3N90的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)