国产替代MOS 650V/20A 20N65 TO-220F UPS用 塑封MOSFET
国产替代MOS 20N65的场效应管：
VDS=650V
ID=20A
RDS(ON)＜0.45Ω@VGS=10V
封装：TO-220F
国产替代MOS 20N65的用途：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
国产替代MOS 20N65的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 650 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 20 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 80 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 1350 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 120 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62.5 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.04 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~+150 |
国产替代MOS 20N65的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 0.35 | 0.45 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 80 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 12 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 34 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2978 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 291 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 40 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 37 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 66 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 175 | |||
| tf | 开启下降时间 | 84 |
扫二维码进入手机网站