电源管理MOS管 13N65 TO-220 650V场效应管 高压MOS参数
650V场效应管 13N65的产品特点：
VDS=650V
ID=13A
RDS(ON)＜0.5Ω@VGS=10V
封装：TO-220
650V场效应管 13N65的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：650V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：13A
漏极电流-脉冲 IDM：48A
单脉冲雪崩能量 EAS：550mJ
总耗散功率 PD：120W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：150℃
结到管壳的热阻 RθJC：1.04℃/W
结到环境的热阻 RθJA：100℃/W
650V场效应管 13N65的电特性：
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6A | 0.5 | Ω | ||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 12 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 14 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2000 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 160 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 18 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 28 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 26 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 64 | |||
| tf | 开启下降时间 | 45 |
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