MOS管替代 10N65 TO-220 650V/10A 电源用场效应管 NMOS管
NMOS管 10N65的产品特点：
VDS=650V
ID=10A
RDS(ON)＜0.8Ω@VGS=10V
封装：TO-220
NMOS管 10N65的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：650V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：10A
漏极电流-脉冲 IDM：38A
单脉冲雪崩能量 EAS：562mJ
雪崩电流 IAR：7.5A
重复雪崩能量 EAR：45mJ
总耗散功率 PD：65W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：1.29℃/W
结到环境的热阻 RθJA：62.5℃/W
NMOS管 10N65的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 650 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=5A | 0.65 | 0.8 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 35 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 18 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1264 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 149 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 18 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 23 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 18 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 90 | |||
| tf | 开启下降时间 | 30 |
扫二维码进入手机网站