高压塑封MOS管 11N60 TO-220F 电源应用MOS N型MOSFET
高压塑封MOS管 11N60的应用领域：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
高压塑封MOS管 11N60的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：600V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：11A
漏极电流-脉冲 IDM：48A
单脉冲雪崩能量 EAS：660mJ
总耗散功率 PD：55W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：150℃
结到管壳的热阻 RθJC：2.27℃/W
结到环境的热阻 RθJA：100℃/W
高压塑封MOS管 11N60的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 600 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=6A | 510 | 620 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 12 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 44 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 16 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1540 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 180 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 16 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 26 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 65 | |||
| tf | 开启下降时间 | 40 |
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