LED用场效应管 20N50 TO-220F 500V 国产MOSFET MOS应用参数
LED用场效应管 20N50的产品特点：
VDS=500V
ID=20V
RDS(ON)＜0.3Ω@VGS=10V
封装：TO-220F
LED用场效应管 20N50的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：500V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：20A
漏极电流-脉冲 IDM：80A
单脉冲雪崩能量 EAS：1200mJ
总耗散功率 PD：45W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：150℃
结到管壳的热阻 RθJC：2.78℃/W
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
LED用场效应管 20N50的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | 540 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 0.23 | 0.3 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3.2 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 54.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 13.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 18.7 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3059 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 291 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 16 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 37 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 70 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 89 | |||
| tf | 开启下降时间 | 49 |
LED用场效应管 20N50的封装外形尺寸图：
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