UPS电源用 500V高压MOS 9N50 TO-252 MOSFET参数 替换场效应管
500V高压MOS 9N50的用途：
UPS不间断电源
PFC功率因素校正
500V高压MOS 9N50的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：500V
栅极-源极电压 VGS：±30V
漏极电流-连续 ID：9A
漏极电流-脉冲 IDM：36A
单脉冲雪崩能量 EAS：198mJ
总耗散功率 PD：150W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：1.25℃/W
结到环境的热阻 RθJA：100℃/W
500V高压MOS 9N50的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 500 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=4.5A | 0.67 | 0.84 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 22 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 4.3 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 13 | |||
| Ciss | 输入电容 | 891 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 110 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 14 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 15 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 18 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 80 | |||
| tf | 开启下降时间 | 35 |
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