300V高压MOS 2N30 SOT23-3L 贴片小MOS管 UPS场效应管
300V高压MOS 2N30的产品特点：
VDS=300V
ID=2A
RDS(ON)＜4Ω@VGS=10V
封装：SOT23-3L
300V高压MOS 2N30的用途：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
300V高压MOS 2N30的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：300V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：2A
漏极电流-脉冲 IDM：12A
单脉冲雪崩能量 EAS：30mJ
重复雪崩能量 EAR：0.9mJ
总耗散功率 PD：35.2W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
结到管壳的热阻 RθJC：3.55℃/W
结到环境的热阻 RθJA：60℃/W
300V高压MOS 2N30的电特性：
(如无特殊说明，TA=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 300 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=1.5A | 3 | 4 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 4.4 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 0.7 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2 | |||
| Ciss | 输入电容 | 138 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 30 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 5 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 18 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 55 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 60 | |||
| tf | 开启下降时间 | 55 |
扫二维码进入手机网站