250V/50A NMOS 高压MOSFET 50N25 TO-247 大封装MOS管

高压MOSFET 50N25的特点：

• V_DS=250V

• I_D=50A

• R_DS(ON)＜85mΩ@V_GS=10V

• 封装：TO-247

高压MOSFET 50N25的应用领域：

• 功率放大器

• 电机驱动

高压MOSFET 50N25的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：250V

• 栅极-源极电压 V_GS：±30V

• 漏极电流-连续 I_D：50A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：180A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：973mJ

• 雪崩电流 I_AS：36A

• 重复雪崩能量 E_AR：584mJ

• 总耗散功率 P_D：65W

• 存储温度 T_STG：-55~+150℃

• 工作结温 T_J：-55~+150℃

• 结到管壳的热阻 R_θJC：0.89℃/W

• 结到环境的热阻 R_θJA：60℃/W

高压MOSFET 50N25的电特性：

(如无特殊说明，T_C=25℃)