P沟道MOS管 4P20 TO-252 贴片场效应管 功率放大器MOS

P沟道MOS管 4P20的产品特点：

• V_DS=-200V

• I_D=-4A

• R_DS(ON)＜1.7Ω@V_GS=-10V

• 封装：TO-252
  

P沟道MOS管 4P20的用途：

• 功率放大器

• 电机驱动

P沟道MOS管 4P20的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-200V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-4A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-14A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：310mJ

• 重复雪崩能量 E_AR：4.2mJ
  

• 总耗散功率 P_D：42W

• 存储温度 T_STG：-55~+150℃

• 工作结温 T_J：-55~+150℃

• 结到管壳的热阻 R_θJC：3℃/W

• 结到环境的热阻 R_θJA：110℃/W

P沟道MOS管 4P20的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)