200V/75A 低内阻NMOS管 75N20 TO-220 PWM程序用MOS 插件场效应管
PWM程序用MOS 75N20的特点：
VDS=200V
ID=75A
RDS(ON)＜20mΩ@VGS=10V
封装：TO-220
PWM程序用MOS 75N20的应用领域：
负载开关
PWM程序
电源管理
PWM程序用MOS 75N20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±30 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 75 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 300 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 300 | mJ |
| PD | 总耗散功率 | 375 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.45 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~+150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | 150 |
PWM程序用MOS 75N20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=40A | 17 | 20 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 3.6 | 5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 50 | 65 | S | |
| Qg | 栅极电荷 | 85 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 15 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 25 | |||
| Ciss | 输入电容 | 7500 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 500 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 210 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 45 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 70 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 110 | |||
| tf | 开启下降时间 | 90 |
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