功率放大器MOS管 34N20 TO-220 200V/34A 插件N沟道MOS

插件N沟道MOS 34N20的特点：

• V_DS=200V

• I_D=34A

• R_DS(ON)＜85mΩ@V_GS=10V

• 封装：TO-220

插件N沟道MOS 34N20的应用领域：

• 功率放大器

• 电机驱动
  

插件N沟道MOS 34N20的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：200V

• 栅极-源极电压 V_GS：±30V

• 漏极电流-连续 I_D：34A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：112A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：588mJ

• 总耗散功率 P_D：158W

• 存储温度 T_STG：-55~+150℃

• 工作结温 T_J：-55~+150℃

• 结到管壳的热阻 R_θJC：0.79℃/W

• 结到环境的热阻 R_θJA：62.5℃/W

插件N沟道MOS 34N20的电特性：