替换场效应管 N型MOSFET 18N20 TO-251 MOS管型号大全

替换场效应管 18N20的产品特点：

• V_DS=200V

• I_D=18A

• R_DS(ON)＜150mΩ@V_GS=10V

• 封装：TO-251

替换场效应管 18N20的应用领域：

• UPS 不间断电源

• PFC 功率因素校正

替换场效应管 18N20的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：200V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：18A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：72A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：340mJ

• 总耗散功率 P_D：104W

• 存储温度 T_STG：-55~+150℃

• 工作结温 T_J：-55~+150℃

• 结到管壳的热阻 R_θJC：1.2℃/W

• 结到环境的热阻 R_θJA：62.5℃/W

替换场效应管 18N20的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)