200V国产MOS 5N20 TO-252 UPS用场效应管 NMOS
200V国产MOS 5N20的特点：
VDS=200V
ID=5A
RDS(ON)＜0.58Ω@VGS=10V
封装：TO-252
200V国产MOS 5N20的用途：
UPS 不间断电源
PFC 功率因素校正
200V国产MOS 5N20的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 200 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 | 5 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 20 | |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 45 | mJ |
| IAR | 雪崩电流 | 3 | A |
| PD | 总耗散功率 | 46 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 60 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 2.7 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
200V国产MOS 5N20的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 200 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=2.5A | 0.42 | 0.58 | Ω | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.2 | 1.5 | 2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 18 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 9.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 228 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 48 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 17 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 10 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 19 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 43 | |||
| tf | 开启下降时间 | 32 |
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