7.5mΩ 插件N沟道MOS管 190N15 TO-220 国产低内阻MOS UPS场效应管
插件N沟道MOS管 190N15的特点：
VDS=150V
ID=190A
RDS(ON)＜7.5mΩ@VGS=10V
封装：TO-220
插件N沟道MOS管 190N15的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：150V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：190A
漏极电流-脉冲 IDM：550A
单脉冲雪崩能量 EAS：506mJ
总耗散功率 PD：210W
存储温度 TSTG：-55~+150℃
工作结温 TJ：-55~+150℃
插件N沟道MOS管 190N15的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 150 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 6.6 | 7.5 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 2.9 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 18 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 10 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 72 | |||
| Ciss | 输入电容 | 5240 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 412 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 10 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 115 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 44 | |||
| tf | 开启下降时间 | 105 |
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