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150V/10A 10N15 TO-252 负载开关MOS管
150V/10A 10N15 TO-252 负载开关MOS管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:10N15
产品封装:TO-252
产品标题:贴片大电流MOS 150V/10A 10N15 TO-252 负载开关MOS管 N型MOSFET
咨询热线:0769-89027776

产品详情


贴片大电流MOS 150V/10A 10N15 TO-252 负载开关MOS管 N型MOSFET



N型MOSFET 10N15的应用:

  • 电池保护

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



N型MOSFET 10N15的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压150
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)10A
漏极电流-连续(TC=100℃)6.1
IDM漏极电流-脉冲30
PD总耗散功率(TC=25℃)32.1W
总耗散功率(TA=25℃)20.5
RθJA结到环境的热阻62.5℃/W
RθJC结到管壳的热阻3.9
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



N型MOSFET 10N15的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压150170
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=7A


285345
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=6A


290365
VGS(th)
栅极开启电压11.63V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
17.5
nC
Qgs栅源电荷密度

4.5
Qgd栅漏电荷密度
4.7
Ciss输入电容
538
pF
Coss输出电容
55
Crss反向传输电容
21
td(on)开启延迟时间
11.6
ns
tr开启上升时间

9.3


td(off)关断延迟时间
29.3
tf
开启下降时间
3.7


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