110V 电源用NMOS 100N11 TO-263 贴片MOSFET 大电流场效应管

电源用NMOS 100N11的特点：

• V_DS=110V

• I_D=100A

• R_DS(ON)＜16mΩ@V_GS=10V

• 封装：TO-263

电源用NMOS 100N11的应用领域：

• 电源转换装置

• 硬开关和高频电路

• UPS不间断电源

电源用NMOS 100N11的极限值：

(如无特殊说明，T_J=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：110V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：100A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：300A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：300mJ

• 总耗散功率 P_D：273W

• 存储温度 T_STG：-55~+175℃

• 工作结温 T_J：-55~+175℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：62℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：0.55℃/W

电源用NMOS 100N11的电特性：