国产替代PMOS管 50P10 TO-220 MOS型号及参数 国产插件MOS
国产替代PMOS管 50P10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-50A
漏极电流-脉冲 IDM：-150A
单脉冲雪崩能量 EAS：87mJ
雪崩电流 IAS：-35A
总耗散功率 PD：140W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.1℃/W
国产替代PMOS管 50P10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-20A | 40 | 52 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-10A | 44 | 62 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.6 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 40 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 8.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 2120 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 194 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 13 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 39 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 100.1 | |||
| tf | 开启下降时间 | 105.3 |
扫二维码进入手机网站