100VPMOS管 30P10 PDFN5X6-8L 电源管理用MOS 大芯片MOSFET

100VPMOS管 30P10的特点：

• V_DS=-100V

• I_D=-30A

• R_DS(ON)＜45mΩ@V_GS=-10V

• 封装：PDFN5X6-8L
  

100VPMOS管 30P10的用途：

• 电池保护

• 负载开始

• UPS不间断电源
  

100VPMOS管 30P10的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-100V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-30A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-120A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：306mJ

• 总耗散功率 P_D：73W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

100VPMOS管 30P10的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)