低内阻MOS管 -100V/-30A P沟道MOS管 30P10 TO-252 场效应管应用领域

P沟道MOS管 30P10的应用领域：

• 电池保护

• 负载开关

• UPS不间断电源
  

P沟道MOS管 30P10的极限值：

(如无特殊说明，T_C=25℃)

• 漏极-源极电压 V_DS：-100V

• 栅极-源极电压 V_GS：±20V

• 漏极电流-连续 I_D：-30A

• 漏极电流-脉冲 I_DM：-90A

• 单脉冲雪崩能量 E_AS：157.2mJ

• 雪崩电流 I_AS：19A
  

• 总耗散功率 P_D：280W

• 存储温度 T_STG：-55~150℃

• 工作结温 T_J：-55~150℃

• 结到环境的热阻 R_θJA：62.5℃/W

• 结到管壳的热阻 R_θJC：2.3℃/W

P沟道MOS管 30P10的电特性：

(如无特殊说明，T_J=25℃)