P沟道小MOS管 13P10 TO-252 电源开关用MOS -100V场效应管
P沟道小MOS管 13P10的产品特点：
VDS=-100V
ID=-13A
RDS(ON)＜170mΩ@VGS=-10V
高密度电池设计
低导通内阻
封装：TO-252
P沟道小MOS管 13P10的应用领域：
电源开关
DC/DC变换
P沟道小MOS管 13P10的极限参数：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：-100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：-13A
漏极电流-脉冲 IDM：-30A
总耗散功率 PD：40W
单脉冲雪崩能量 EAS：110mJ
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作结温 TJ：-55~150℃
P沟道小MOS管 13P10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-16A | 145 | 175 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -3 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±10 | μA | ||
| gfs | 正向跨导 | 12 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 25 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 5 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 7 | |||
| Ciss | 输入电容 | 760 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 260 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 170 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 14 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 18 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 50 | |||
| tf | 开启下降时间 | 18 |
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