手机快充PMOS 01P10 SOT-23 小电流场效应管 -100V/-0.9A
手机快充PMOS 01P10的特点：
VDS=-100V
ID=-0.9A
RDS(ON)＜0.65Ω@VGS=10V
封装：SOT-23
手机快充PMOS 01P10的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
手机快充PMOS 01P10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -0.9 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | -0.7 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -1.8 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 80 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
手机快充PMOS 01P10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-10V,ID=-0.8A | 0.52 | 0.65 | Ω | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-0.4A | 0.56 | 0.7 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -1 | -1.5 | -2.5 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 3 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 4.5 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.14 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 1.5 | |||
| Ciss | 输入电容 | 553 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 29 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 20 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 13.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 6.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 34 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3 |
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