100VN沟道MOS 130N10 TO-263 国产MOSFET 电源用场效应管
100VN沟道MOS 130N10的特点：
低内阻
极低的开关损耗
封装：TO-263
100VN沟道MOS 130N10的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：130A
漏极电流-脉冲 IDM：390A
单脉冲雪崩能量 EAS：400mJ
总耗散功率 PD：192W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：0.65℃/W
100VN沟道MOS 130N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=60A | 4 | 4.6 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 101.6 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 20.6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 28.7 | |||
| Ciss | 输入电容 | 6124.6 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 792.3 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 15.1 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 28.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 7.5 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 81.9 | |||
| tf | 开启下降时间 | 20.1 |
100VN沟道MOS 130N10的封装外形尺寸图：
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