宇芯微 中低压MOS 8mΩ 低内阻NMOS 100N10 DFN5X6-8L 电源管理MOS
电源管理MOS 100N10的应用领域：
消费电子电源
马达控制
同步整流
同步整流应用程序
电源管理MOS 100N10的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 300 | |
| PD | 总耗散功率 | 148 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 130 | mJ |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.84 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
电源管理MOS 100N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=12A | 6.5 | 8 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 60.7 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 7.2 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 14.6 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3530 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 560.1 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 9 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22.5 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 8.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 66.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 42.1 |
扫二维码进入手机网站