宇芯微 N沟道MOS管 MOSFET厂家 100V低内阻MOS 80N10 TO-263
N沟道MOS管 80N10的用途：
消费电子电源
马达控制
同步整流
同步整流应用程序
N沟道MOS管 80N10的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：80A
漏极电流-脉冲 IDM：210A
单脉冲雪崩能量 EAS：183.8mJ
总耗散功率 PD：107W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
N沟道MOS管 80N10的电特性：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | 111 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=20A | 8 | 12 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=12A | 12 | 14 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 3 | 4 | V |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 28.9 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 6 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 6.8 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1998.1 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 321.7 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 7.1 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 22.1 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 5.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 44 | |||
| tf | 开启下降时间 | 8.4 |
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