100V 低压场效应管 40N10 DFN5X6-8L 小封装MOS管 应用于消费电子
低压场效应管 40N10的引脚配置图：
低压场效应管 40N10的极限参数：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 40 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 120 | |
| PD | 总耗散功率 | 72 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 30 | mJ |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 1.74 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低压场效应管 40N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=8A | 16 | 20 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A | 26 | ||||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1190.6 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 194.6 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 4.1 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.9 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 33.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3.2 |
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