宇芯微 LED灯用MOS 16mΩ 低内阻MOS管 100N10 TO-263 小封装MOS
小封装MOS 100N10的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
小封装MOS 100N10的极限参数：
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | 100 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±20 | |
| ID | 漏极电流-连续(TC=25℃) | 100 | A |
| IDM | 漏极电流-脉冲 | 300 | |
| PD | 总耗散功率 | 273 | W |
| EAS | 单脉冲雪崩能量 | 380 | mJ |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 62 | ℃/W |
| RθJC | 结到管壳的热阻 | 0.55 | |
| TSTG | 存储温度 | -55~175 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~175 |
小封装MOS 100N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=30A | 11 | 16 | mΩ | |
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 2 | 4 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 90 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 20 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 31 | |||
| Ciss | 输入电容 | 3150 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 350 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 240 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 18.2 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 15.6 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 70.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 13.8 |
扫二维码进入手机网站