功率场效应管 20mΩ 57N10 TO-263 大电流NMOS 国内MOSFET
大电流NMOS 57N10的应用领域：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
大电流NMOS 57N10的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续 ID：57A
漏极电流-脉冲 IDM：120A
单脉冲雪崩能量 EAS：30mJ
总耗散功率 PD：72W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
结到环境的热阻 RθJA：62℃/W
结到管壳的热阻 RθJC：1.74℃/W
大电流NMOS 57N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=8A | 14 | 20 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=6A | 18 | 26 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 19.8 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.4 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 5.3 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1190.6 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 194.6 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 4.1 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 17.8 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.9 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 33.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 3.2 |
大电流NMOS 57N10的封装外形尺寸图：
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