宇芯微 塑封MOS管 55A 21mΩ 大功率场效应管 55N10 TO-220F 大芯片
塑封MOS管 55N10的用途：
电池保护
负载开关
UPS不间断电源
塑封MOS管 55N10的极限值：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
漏极-源极电压 VDS：100V
栅极-源极电压 VGS：±20V
漏极电流-连续ID：55A
漏极电流-脉冲 IDM：110A
单脉冲雪崩能量 EAS：57mJ
总耗散功率 PD：50W
存储温度 TSTG：-55~150℃
工作温度 TJ：-55~150℃
塑封MOS管 55N10的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | 100 | V | ||
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=10V,ID=10A | 15 | 21 | mΩ | |
| 静态漏源导通电阻 VGS=4.5V,ID=7A | 20 | 26 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | 1.4 | 2.5 | V | |
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| Qg | 栅极电荷 | 16.2 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 2.8 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 4.1 | |||
| Ciss | 输入电容 | 1003.9 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 185.4 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 9.8 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 16.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 3.8 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 75.5 | |||
| tf | 开启下降时间 | 46 |
扫二维码进入手机网站