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国产P型MOS管 13P06 TO-252
国产P型MOS管 13P06 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:13P06
产品封装:TO-252
产品标题:国产P型MOS管 13P06 TO-252 贴片MOS管丝印 低压MOS选型
咨询热线:0769-89027776

产品详情


国产P型MOS管 13P06 TO-252 贴片MOS管丝印 低压MOS选型



国产P型MOS管 13P06的特点:

  • VDS=-60V

  • ID=-13.5A

  • RDS(ON)<90mΩ@VGS=10V

  • 封装:TO-252



国产P型MOS管 13P06的用途:

  • 无刷马达

  • 负载开关

  • UPS不间断电源



国产P型MOS管 13P06的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:-60V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:-13.5A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:-26A

  • 单脉冲雪崩能量 EAS:29.8mJ

  • 雪崩电流 IAS:-24.4A

  • 总耗散功率 PD:31.3W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W

  • 结到管壳的热阻 RθJC:4℃/W

  • 存储温度 TSTG:-55~150℃

  • 工作结温 TJ:-55~150℃



国产P型MOS管 13P06的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压-60

V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=-10V,ID=-3A


8090
静态漏源导通电阻

VGS=-4.5V,ID=-2A


100115
VGS(th)
栅极开启电压-1.2-1.75-2.5V
IGSS

栅极漏电流



±100nA
gfs正向跨导
8.5
S
Qg栅极电荷
12.1
nC
Qgs栅源电荷密度

2.2
Qgd栅漏电荷密度
6.3
Ciss输入电容
1137
pF
Coss输出电容
76
Crss反向传输电容
50
td(on)开启延迟时间
9.2
ns
tr开启上升时间
20.1
td(off)关断延迟时间
46.7
tf
开启下降时间
9.4


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